寬帶InGaAs光電探測(cè)器

寬帶InGaAs光電探測(cè)器由光電探測(cè)器芯片和偏置電路組成，飽和光功率可達(dá)10dBm，小型化，可原位替換EM169，標(biāo)準(zhǔn)SMA射頻口輸出。
一、寬帶InGaAs光電探測(cè)器特性
寬帶
低噪聲
二、寬帶InGaAs光電探測(cè)器應(yīng)用
射頻拉遠(yuǎn)
跟蹤遙測(cè)及控制
雷達(dá)電子
三、寬帶InGaAs光電探測(cè)器絕對(duì)最大值額定參數(shù)

參數(shù)	符號(hào)	條件	最小值	最大值	單位
工作電壓	Vpd	—		5	V
儲(chǔ)存溫度	Ts	—	-55	85	℃
工作溫度	To	—	-40	70	℃
最大接收光功率	PIN	—	—	10	dBm

四、寬帶InGaAs光電探測(cè)器規(guī)格參數(shù)

參數(shù)	符號(hào)	條件	最小值	典型值	最大值	單位
飽和光功率	PS	—	—	10	—	dBm
調(diào)制帶寬	BW	—	0.1	20	—	GHz
幅度平坦度	AF	—	—	2	—	dB
響應(yīng)度	Re	—	—	0.85	—	uA
波長(zhǎng)	λ	—	1260	1310/1550	1625	nm
輸出阻抗	ROUT	—	—	50	—	Ω
光接口	FC/A PC（可定制）
光纖類型	標(biāo)準(zhǔn)單模光纖，光纖直徑0.9mm，光纖長(zhǎng)度1m
射頻接口	SMA
尺寸	17.78mm x 12.7mm x 8.9					mm

四川梓冠光電寬帶InGaAs光電探測(cè)器訂購(gòu)信息

波長(zhǎng)	飽和功率	帶寬	連接頭
13=1310nm 15=1550nm	10=10dbm	20=20GHZ	FC/APC X

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