一、SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8的定義
硅光芯片用于高速光開(kāi)關(guān)，其原理類(lèi)似demux，將單路光分成多路，每次只選通其中一路。當(dāng)前設(shè)計(jì)綜合考慮工藝的成熟度、集成難度、靈活性，在 Sample A1決定采用純光纖的模塊化方案，一個(gè)模塊為 1x8 形式。光開(kāi)關(guān)輸入、輸出采用光纖/光纖陣列。采購(gòu)模塊化的產(chǎn)品，即已經(jīng)封裝好的、帶有光纖的模塊。該模塊可以焊接在 的PCB 上直接使用。激光器雷達(dá)
四、SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8的性能指標(biāo)
| 參數(shù)指標(biāo) | 參數(shù) | 備注 |
| 波長(zhǎng) | 1530-1565nm | |
| 光開(kāi)關(guān)構(gòu)架 | 1x8 | 雙向、TE/TM |
| 開(kāi)關(guān)速度 | <200ns | |
| 插損 | ≤8db | 光纖到光纖(室溫) |
| 消光比 | >18db | |
| 申擾 | >25db | |
| 回波損耗 | >35db | 入射到光纖中功率與反射功率的比值 |
| 最大光功率 | 300mw | 輸入功率 |
| 開(kāi)關(guān)重復(fù)頻率(PRF) | 1MHz | |
| 工作溫度范圍 | -20~+70°C | |
| 存儲(chǔ)溫度 | -40~+85℃ | |
| 輸入方式 | 可選 | 封裝后甩線，保偏FC/APC(Sample A1)，鍍層AR |
| 輸出方式 | 光纖 | 封裝后甩線*8，保偏FC/APC(Sample A1)，鍍層AR |
| 開(kāi)關(guān)壽命 | 10年 |
五、SOI高速光開(kāi)關(guān)1x8模塊化后的電氣參數(shù)
| 參數(shù) | 備注 | |
| 1x8 Unit功耗@300khz 開(kāi)關(guān)頻率(最大) | 300mW | |
| 開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電流(最大) | 15mA | |
| 開(kāi)關(guān)控制電壓 | 2V | |
| 調(diào)整偏置電流/電壓范圍 | 30mA/3V | |
| 溫度傳感器 | 無(wú) | 未集成溫度傳感器或TEC |
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