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SOI芯片光延時線
SOI芯片光延時線具有多通道、高集成度芯片化、高速響應等特點,主要應用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領域
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詳細信息

SOI芯片光延時線

一、SOI芯片光延時線的定義
SOI芯片式低偏振相關損耗可調光延時線,該產品基于級聯的高速光開關和延時光路組成,實現大量程、高精度量化可調光延時線的片上集成,本產品通過創(chuàng)新設計實現了超低偏振相關性損耗,芯片尺寸小,集成度高,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
二、SOI芯片光延時線的特點
多通道
高集成度芯片化
高速響應
三、SOI芯片光延時線的應用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達

四、SOI芯片光延時線的性能指標

    參數指標
單位最小值典型值最大值
    波長范圍
nm
1530nm-1570nm  or  1270nm-1330nm
    單級熱調功耗
mW


100
    單級電調功耗
mW


10
    光纖接入損耗
dB


12@9 bit
    偏振相關損耗
dB


0.5
    延時量精度
ps


30@2048 pS
    延遲步進
ps
2
    平坦度
dB
<0.5 dB@2048 pS
    響應速率
Hz
>20kHz@熱調試模式,>10MHz@電調模式
    最大延時量
ps
1024/2048 或可定制
    延時量量化位數
bit
10或可定制
    通道數

1或可定制
    工作溫度范圍

-20

50
    工作濕度范圍
%


+65
    芯片尺寸
mm
8.1(L)x2.3(W)x0.5(H)

五、SOI芯片光延時線的芯片尺寸

六、四川梓冠光電SOI芯片光延時線訂貨信息

波長類型通道數
13=1310nm
15=1550nm
10-2048=10 bit,2048 ps
XX=other
1=1CH,4=4CH,8=8CH,16=CH
48=48CH,XX=0ther


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