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單片集成 6 比特光延時芯片
單片集成 6 比特光延時芯片具有高速切換,高延時精度,超小尺寸,超寬帶工作,全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強等特性,主要應(yīng)用于光控相控陣雷達系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)等領(lǐng)域
產(chǎn)品咨詢
詳細信息

單片集成 6 比特光延時芯片

      梓冠光電的單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級,厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
一、單片集成 6 比特光延時芯片特性
高速切換
高延時精度
超小尺寸
超寬帶工作
全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強
二、單片集成 6 比特光延時芯片應(yīng)用
光控相控陣雷達系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)
三、單片集成 6 比特光延時芯片規(guī)格參數(shù)

     性能指標
單位
典型值
備注
    延時位數(shù)
/
6
可定制
    最小延時步進
ps
59.2
可定制
    可調(diào)節(jié)最大延時量
ps
3729.6

    延時偏差
ps
≤±0.5
≤±1@max
    延時切換時間
μs
≤1

    插入損耗
dB
14

    各延時態(tài)損耗差異
dB
±0.5

    波損耗
dB
45

    芯片尺寸
mm
22×10×0.7


〖電管腳定義 Pin definition〗




〖延時量和光開關(guān)傳輸狀態(tài)對應(yīng)關(guān)系


延時量和光開關(guān)傳輸狀態(tài)對應(yīng)關(guān)系


〖芯片尺寸(單位:mm)


單片集成 6 比特光延時芯片尺寸圖



四川梓冠光電生產(chǎn)的硅基器件芯片系列包括:硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片、硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片、單片集成 6 比特光延時芯片、SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列、SOI芯片光電探測器陣列、SOI高速多通道光衰減器、SOI高速光開關(guān)陣列等,歡迎咨詢!

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